北京航空航天大学与中科院微电子所的联合研发团队经过科研攻关，在STT-MRAM关键工艺技术研究上实现了重要突破，在国内率先成功制备出直径为80纳米的“万能存储器”核心器件，器件性能良好，相关关键参数达到国际领先水平。该技术有望应用于大型数据中心，用于降低功耗，还可用于各类移动设备，提高待机时间。